DRAM价格狂飙后反超HBM,AI存储市场出现新变化

2026-06-22 币安交易所

过去两年,资本市场几乎将所有聚光灯都打在HBM(高带宽内存)身上。

从英伟达GPU到AI服务器,HBM被视为人工智能时代最稀缺的核心部件之一。SK海力士、三星电子和美光因此成为AI浪潮最大的受益者之一,HBM甚至一度被赋予“AI时代石油”的角色。

但当市场还在讨论HBM产能缺口时,存储行业内部正在发生一个颇具反差的变化。

伯恩斯坦最新报告指出,在经历2025年第三季度至2026年第二季度约4.5倍的价格上涨后,常规DRAM的盈利能力已经悄然超越HBM。按照单位比特平均售价计算,普通DRAM目前不仅追平HBM,甚至在部分产品上已经出现反超。

这意味着,AI时代最赚钱的存储产品,未必是市场关注度最高的产品。

很多人容易忽略一点:HBM本质上也是DRAM。

只是通过先进封装技术将多层DRAM芯片垂直堆叠,从而满足AI训练所需的高带宽需求。因此,HBM与传统DRAM并非完全独立的市场,而是共享同一套产能基础和供应链体系。

当AI需求爆发后,大量产能被优先配置给HBM生产。

结果却是另一端的普通DRAM供给持续收缩。

智能手机、PC、服务器等传统市场经历数年库存调整后开始复苏,而供给端并未同步恢复,最终推动常规DRAM价格进入罕见上涨周期。

市场最初认为这只是阶段性反弹。

但随着价格持续攀升,行业发现情况远比预期复杂。

伯恩斯坦测算显示,由于常规DRAM拥有更高良率和更高存储密度,今年单张晶圆所创造的收入可能达到HBM的两倍左右。同时,由于生产工艺更加成熟,其利润率也明显高于HBM。

这其实打破了一个长期存在的市场认知。

过去投资者普遍认为HBM代表高技术、高附加值和高利润,而传统DRAM则属于周期性较强的大宗商品业务。但在当前供需结构下,成熟产品反而成为利润贡献最大的业务板块。

背后原因并不难理解。

HBM虽然售价昂贵,但制造过程复杂,需要先进封装、测试和堆叠环节协同配合,成本同样高企。而传统DRAM经过数十年产业化发展,工艺成熟、规模效应显著,当价格快速上涨时,大部分增量收入都能直接转化为利润。

更有意思的是,HBM价格未必还能无限上涨。

理论上,如果HBM想在单位晶圆收入上追平当前DRAM,其价格还需要上涨约三倍。

但产业链显然不会愿意看到这种局面。

原因很现实。

AI产业虽然增长迅猛,但整个生态仍然需要维持成本平衡。无论是云计算厂商、大模型公司还是企业客户,都在面对不断上升的算力支出压力。如果HBM价格继续大幅上涨,最终推高的将是整个AI系统成本。

历史上类似情况并不少见。

无论是互联网时代的带宽价格,还是智能手机时代的闪存价格,当产业链某个环节利润过度集中时,往往会抑制下游需求扩张,最终影响整个行业增长。

存储厂商显然深知这一点。

相比短期利润最大化,它们更需要维持AI市场长期增长。

从这个角度看,当前存储行业正在进入一个新的平衡阶段。HBM仍然是AI服务器不可替代的核心组件,但普通DRAM已经不再只是陪跑角色。随着数据中心扩建、企业服务器升级以及终端设备复苏,传统存储市场正在重新获得定价权。

对于投资者而言,这也是一个值得重新审视的信号。

AI浪潮带来的机会,并不只存在于最热门的赛道。很多时候,真正受益最大的,反而是那些被市场忽视、却掌握关键供给能力的基础环节。

而DRAM市场正在证明这一点。如今决定存储行业利润分配的,不只是技术先进程度,还有供需关系本身。

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